eMMC (Enigita Multimedia Karto)adoptas unuigitan MMC-norman interfacon, kaj enkapsuligas alt-densecan NAND-Fulmon kaj MMC-Regilon en BGA-peceto.Laŭ la karakterizaĵoj de Flash, la produkto inkludis Flash-administradteknologion, inkluzive de eraro-detekto kaj korekto, fulm-mezura forigo kaj skribo, malbona blokadministrado, malŝalta protekto kaj aliaj teknologioj.Uzantoj ne bezonas zorgi pri ŝanĝoj en la procezo kaj procezo de fulm-oblato ene de la produkto.Samtempe, la eMMC ununura blato ŝparas pli da spaco ene de la baztabulo.
Simple dirite, eMMC=Nand Flash+regilo+norma pako
La totala arkitekturo de eMMC estas montrita en la sekva bildo:
eMMC integras Flash-Regilon en ĝi por plenumi funkciojn kiel viŝi kaj skribi egaligon, malbonan blokadministradon kaj ECC-kontroladon, permesante al la Gastiganto koncentriĝi pri supra-tavolaj servoj, forigante la bezonon de speciala prilaborado de NAND Flash.
eMMC havas la sekvajn avantaĝojn:
1. Simpligu la memoran dezajnon de poŝtelefonaj produktoj.
2. La rapido de ĝisdatigo estas rapida.
3. Akceli produktan disvolviĝon.
eMMC-normo
JEDD-JESD84-A441, publikigita en junio 2011: v4.5 kiel difinite en la Enigita MultiMediaCard (e•MMC) Produkta Normo v4.5.JEDEC ankaŭ publikigis JESD84-B45: Embedded Multimedia Card e•MMC), elektran normon por eMMC v4.5 (versio 4.5 aparatoj) en junio 2011. En februaro 2015, JEDEC publikigis version 5.1 el la eMMC-normo.
La plej multaj ĉefaj meznivelaj poŝtelefonoj uzas eMMC5.1-memoron kun teoria bendolarĝo de 600M/s.La sinsekva legadrapideco estas 250M/s, kaj la sinsekva skribrapideco estas 125M/s.
La nova generacio de UFS
UFS: Universala Flash Stokado, ni povas rigardi ĝin kiel altnivelan version de eMMC, kiu estas tabelo-stoka modulo kunmetita de multoblaj fulmmemorblatoj, majstra kontrolo kaj kaŝmemoro.UFS kompensas la difekton, ke eMMC nur subtenas duondupleksan operacion (legi kaj skribi devas esti faritaj aparte), kaj povas atingi plendupleksan operacion, do la agado povas esti duobligita.
UFS estis subdividita en UFS 2.0 kaj UFS 2.1 pli frue, kaj iliaj devigaj normoj por legado kaj skribrapideco estas HS-G2 (Alta rapideco GEAR2), kaj HS-G3 estas laŭvola.La du aroj de normoj povas funkcii en 1Lane (unu-kanala) aŭ 2Lane (du-kanala) reĝimo.Kiom da rapideco de legado kaj skribo poŝtelefono povas atingi dependas de la normo de fulmmemoro de UFS kaj de la nombro da kanaloj, same kiel de la kapablo de la procesoro uzi fulmmemoron de UFS.Subteno de interfaco de buso.
UFS 3.0 enkondukas la specifon HS-G4, kaj la unu-kanala bendolarĝo estas pliigita al 11.6Gbps, kio estas duoble la rendimento de HS-G3 (UFS 2.1).Ĉar UFS subtenas du-kanalan dudirektan legadon kaj skribadon, la interfaca bendolarĝo de UFS 3.0 povas atingi ĝis 23.2Gbps, kio estas 2.9GB/s.Krome, UFS 3.0 subtenas pli da subdiskoj (UFS 2.1 estas 8), plibonigas erarkorektan agadon kaj subtenas la plej novajn NAND Flash-flash-komunikilojn.
Por kontentigi la bezonojn de 5G-aparatoj, UFS 3.1 havas 3 fojojn la skribrapidecon de la antaŭa generacio de ĝeneraluzebla fulma stokado.La rapido de 1 200 megabajtoj por sekundo (MB/s) de la stirado plibonigas altan rendimenton kaj helpas malhelpi bufradon dum elŝuto de dosieroj, permesante al vi ĝui la malaltan latentecan konekteblecon de 5G en konektita mondo.
Skriba rapideco ĝis 1,200MB/s (skriba rapideco povas varii laŭ kapacito: 128 gigabajtoj (GB) ĝis 850MB/s, 256GB kaj 512GB ĝis 1,200MB/s).
UFS ankaŭ estas uzata en solidsubstanca U-disko, 2.5 SATA SSD, Msata SSD kaj aliaj produktoj, UFS anstataŭigas NAND Flash por uzo.
Afiŝtempo: majo-20-2022
